3、Intel 18A制程工艺
Intel 18A标志着半导体制程工艺的一次重大突破，尤其是它首次加入了两大全新革命性技术：RibbonFET全环绕晶体管、PowerVia背部供电。
先说背上供电，它是将传统上位于晶圆正面的供电电路，转移到背面，这是Intel的独家技术。
这一做法为晶圆正面节约了10%的空间，一定程度上提升了晶体管密度。
更大的好处就是有效减少压降(IR Drop)最多达30％，提升芯片运行频率最多6％，进一步提升了Panther Lake的能效表现。
至于RibbonFET全环绕晶体管，它其实是GAA全环绕晶体管结构的一种实现方式，台积电、三星也都有类似的技术，但具体设计各有各的特色。
RibbonFET采用4条垂直堆叠的纳米带(Nano Ribbons)结构，使得栅极能够完全包围沟道，再加上沟道结构和栅极控制的优化，相比传统FinFET立体晶体管结构，驱动电流可增强20％，晶体管开关速度可提升15％。
同时，它还能有效减少漏电现象，支持八个不同的逻辑阈值电压，芯片设计也可以更加灵活。
另外，RibbonFET还融入了Intel的诸多工艺创新，包括全新的栅极光刻工艺、功函数工程优化、短沟道效应控制等等。
两大技术的融合，使得Intel 18A对比Intel 3综合能效提升最多15％、同等性能下功耗降低最多25％、芯片密度提升30％。
